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三极管放大信号是从发射极出来吗
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为什么Ib就可以放大Ic
发射区掺杂浓度大,是以利于向基区发射载流子
基区掺杂少,为了载流子易于通过
集电区体积大且掺杂多,利于收集载流子.
下面是解释（在网上找的）
发射结加正偏时，从发射区将有大量的电子向基区扩散，形成的电流为IEN。与PN结中的情况相同。从基区向发射区也有空穴的扩散运动，但其数量小，形成的电流为IEP。这是因为发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。
进入基区的电子流因基区的空穴浓度低，被复合的机会较少。又因基区很薄，在集电结反偏电压的作用下，电子在基区停留的时间很短，很快就运动到了集电结的边上，进入集电结的结电场区域，被集电极所收集，形成集电极电流ICN。在基区被复合的电子
形成的电流是 IBN。
另外，因集电结反偏，使集电结区的少子形成漂移电流ICBO。于是可得如下电流关系式：
IE= IEN＋ IEP 且有IEN>>IEP
IEN=ICN+ IBN 且有IEN>> IBN ， ICN>>IBN
IC=ICN+ ICBO
IB=IEP+ IBN－ICBO
IE=IEP+IEN=IEPICN+IBN=(ICN+ICBO)+(IBN+IEP－ICBO)=IC+IB
由分析可知，发射区掺杂浓度高，基区很薄，是保证三极管能够实现电流放大的关键。若两个PN结对接，相当基区很厚，所以没有电流放大作用，基区从厚变薄，两个PN结演变为三极管，这是量变引起质变的又一个实例。
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三极管发射极电流最大吗
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优质回答从你的描述中和实际中可以知道，发射结的电流包含了发射区的多子（电子）和反方向的基区的多子（空穴）两个部分，所以你认为发射结的电流是ien+iep，但是这两个区的多子运动和极性是不同的，发射区的是（电子），基区的是（空穴），这两个电流是相同并且相反的，所以和值为零。实际上就是电子与空穴的一个复合过程。由于发射区不停地发射电子，而基区的空穴又不停地移动到发射区与电子复合，所以形成了基极的电流。但是由于基区的面积和掺杂不同导致了这个复合的数量较小，致使发射区发射的大部分电子停留在了基区，而与此同时集电区的大量的空穴的所产生的正向电压驱使了基区的大部分的电子越过了集电结跑到了集电区与空穴中和，从而形成了集电极电流，所以发射极的电流就等于基极与集电极电流之和。
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